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                                          LED的發光原理

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                                          LED是由Ⅲ一V族化合物,如GaAs(砷化鎵)、GaAsP(磷化鎵砷)、A1GaAs(砷化鋁鎵)等半導體制成,其核心是P-N結,因此它具有一般P-N結的伏一安特性,即正向導通、反向截止、擊穿特性。當P型半導體和N型半導體結合時,由于交界面處存在的載流子濃度差。于是電子和空穴都會從高濃度區域向低濃度區域擴散。這樣,P區一側失去空穴剩下不能移動的負離子,N區一側失去電子而留下不能移動的正離子。這些不能移動的帶電粒子就是空間電荷??臻g電荷集中在P區和N區交界面附近,形成了一很薄的空間電荷區,就是P-N結。當給P-N結1個正向電壓時。便改變了P-N結的動態平衡。注入的少數載流子(少子)與多數載流子(多子)復合時,便將多余的能量以光的形式釋放出來,從而把電能直接轉換為光能。如果給PN結加反向電壓,少數載流子(少子)難以注入,故不發光。


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